Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.38: Poster

Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A

Untersuchung des Wachstums von GaSb Quantenpunkten in GaSb Matrix — •L. Müller-Kirsch, R. Heitz und D. Bimberg — Institut für Festkörperphysik der TU-Berlin PN 5-2, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Die Herstellung von GaSb Quantenpunkten mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie wurde untersucht. Im Gegensatz zu den gängingen InGaAs/GaAs Quantenpunkten (QPs) haben die GaSb/GaAs-QPs eine Typ II Bandstruktur, wobei die Lochzustände im QP lokalisiert sind. Diese bilden ein Modellsystem für QP-basierte Speicher oder Transportstrukturen. Die selbstorganisierte Bildung von GaSb-QPs wurde in Abhängigkeit von den Wachstumsparametern (Temperatur, Wachstumsunterbrechung, Wachstumszeit und V/III Verhältnis) untersucht. Photolumineszenzmessungen zeigen für optimierte Wachstumsbedingungen eine intensive Lumineszenz bei 1.1 eV, die dem QP Grundzustand zugeordnet wird. Atom-Kraft-mikroskopische Untersuchungen in Abängigkeit der Wachstumsunterbrechung demonstrieren die Bedeutung der kinetischen Effekte bei der Bildung von GaSb-QPs analog zum Fall von InAs-QPs. einmal