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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.3: Poster

Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A

Quanten-Hall-Effekt und Zyklotronresonanz in ungeordneten δ-dotierten GaAs/GaAlAs-Heterostrukturen — •K. Buth¹, M. Widmann¹, R. Sellin^1,2, U. Merkt¹ und K. Eberl³ — ¹Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg — ²Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin — ³Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstraße 1, 70569 Stuttgart

Durch die Kombination von Magnetotransportmessungen und Zyklotronresonanz kann ein besseres Verständnis des Zusammenspiels von Unordnung und Elektron-Elektron-Wechselwirkung in quasi zweidimensionalen Elektronensystemen erreicht werden. Unsere Proben sind modulationsdotierte GaAs/GaAlAs-Heterostrukturen, die eine δ-Dotierschicht mit negativ geladenen Berylliumionen enthalten. In hohen Magnetfeldern sind die Elektronen in sogenannten ’quantum Hall droplets’ lokalisiert. Für Füllfaktoren ν < 1 beobachten wir daher den Übergang vom integralen Quanten-Hall-Effekt zum Hall-Isolator. In diesem Bereich ist die Zyklotronresonanz ω_c = eB/m^* zu höheren Frequenzen verschoben und die Linienbreite ist extrem schmal. Dies läßt sich durch die Verknüpfung von Lokalisierung und Elektron-Elektron-Wechselwirkung erklären. Für Füllfaktoren ν ∼ 2 beobachten wir eine Aufspaltung der Zyklotronresonanz. Weiterhin kann die Zyklotronresonanz als alternative Methode zur Bestimmung der Elektronendichte zum besseren Verständnis der unordnungsinduzierten Verschiebung der Hall-Plateaus und der magnetfeldinduzierten Delokalisierung in kleinen Magnetfeldern beitragen.