Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.40: Poster

Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A

Admittanz- und Kapazitätsmessungen an Ge-Quantenpunkten in Si — •C. Miesner, T. Asperger und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Mittels Admittanzspektroskopie und C-V-Messungen untersuchen wir die Ladungsträgeremission aus selbstorganisierten Ge-Quantenpunkten,

die in Si-Schottkydiodenstrukturen eingebettet sind. Die Ge-Quantenpunkte wurden mittels Molekularstrahlepitaxie bei einer Substrattemperatur von 550^∘C durch Deposition von 8ML Ge gewachsen. TEM-Untersuchungen zeigen, daß die Dots einen Durchmesser von etwa 70nm und eine Höhe von 6.5nm haben.
Für Sperrspannungen zwischen 0V und 5V wurden bei verschiedenen Frequenzen Admittanzmessungen durchgeführt. Für kleine Sperrspannungen ergeben diese Messungen eine konstante Aktivierungsenergie von 152meV, die wir dem zweidimensionalen Wettinglayer zuordnen. Ab etwa 1.5V steigt die Aktivierungsenergie linear an und erreicht bei 4.5V einen Wert von 352meV.
Die große laterale Ausdehnung der Dots führt zu einem relativ kleinen lateralen Confinement, so daß die Enerergieniveaus in den Dots dicht liegen. Die Dots können daher als „lokale Quantum-Wells“ behandelt werden. In diesem Bild kann der lineare Anstieg in den Aktivierungsenergieen auf die Coulombenergie zurückgeführt werden.