Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.41: Poster

Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A

Spektroskopie an selbstorganisierten CdS-, InAs- und InP-Quantendots — •M. Bähr¹, K. Hoppe², O. Kronenwerth¹, R. Krahne¹, S. Haubold², A. Eychmüller², M. Haase², C. Schüller¹, D. Heitmann¹ und H. Weller² — ¹Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg — ²Institut für Physikalische Chemie, Universität Hamburg

Wir untersuchen CdS-, InAs- und InP-Nanocluster, die mittels chemischer Synthese hergestellt werden. Die Größe der Nanocluster liegt zwischen 1.5 und 6 nm. Mit einem optischen Mikroskopaufbau mit Kryostat ist es möglich Proben mit einer lateralen Auflösung von ca. 1 µm bei Temperaturen bis 5 K zu spektroskopieren. Wir konnten hier Lumineszenzstrahlung von einzelnen CdS-Nanoclustern beobachten. Die beobachtete Linienbreite beträgt ca. 5 meV, wohingegen die Linienbreite dichter Ensembles ca. 30-40 meV beträgt. Bei Messungen an kleineren Ensembles kann ein Telegraph-Noise-artiges An- und Ausschalten der Lumineszenz individueller Cluster innerhalb weniger Sekunden beobachtet werden. Die Lumineszenz von einzelnen Clustern bleibt hingegen über Minuten stabil. Es ist uns auch gelungen, die sehr anspruchsvolle chemische Synthese von InP- und InAs-Clustern zum Erfolg zu führen. Die Cluster werden mit Absorptions-, bzw. Lumineszenzspektroskopie im FIR-, bzw. NIR-Spektralbereich untersucht. Weiterhin haben wir auch InAs- und InP-Cluster in die isolierende Schicht einer Metall-Isolator-Metallschicht integriert und versucht, durch angelegte Gatespannungen zu laden.