Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.44: Poster

Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A

SNOM-Untersuchungen des Ladungsträgertransports in Quan-
tendraht-LED-Strukturen — •T. Plake, R. Ramsteiner, R. Nötzel, W. Ma und K. H. Ploog — Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Berlin

Der Ladungsträgertransport in Leuchtdioden (LEDs) mit Quantendrähten (QWRs) in der intrinsischen Zone dieser p-i-n-Strukturen wurde mittels optischer Nahfeldmikroskopie (SNOM) bei tiefen Temperaturen untersucht. Die GaAs/(Al,Ga)As QWRs wurden mittels Molekularstrahlepitaxie auf lateral strukturierten (311)A-GaAs-Substraten hergestellt. Interessanterweise ist die Elektrolumineszenz (EL) der LEDs bei kleinen Injektionsströmen räumlich auf den Bereich der Quantendrähte begrenzt, während bei höheren Injektionsströmen auch EL aus dem umgebenden Quantentopfbereich zu beobachten ist. SNOM-Untersuchungen an Spaltkanten von LEDs wurden dazu verwendet, den photoangeregten Ladungsträgertransport in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu messen. Wiederum wurde hier eine räumliche Lokalisierung der Anregung für photoinjizierten Ladungsträgertransport im Bereich der QWRs gefunden. Mögliche Modelle zur Beschreibung des beobachteten Verhaltens werden vorgestellt.