Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.49: Poster

Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A

Dispersion und Massenparameter für Exzitonen in Quantendrähten und Quantengräben berechnet in einer Multiband-Ortsraumformulierung — •Anastassios Siarkos, Erich Runge und Roland Zimmermann — Humboldt-Universität zu Berlin

Realistische Rechnungen unter Einschluß der k· p -Valenzbandkopplung von Schwer- und Leichtloch-Anteil auch für reale, nicht-idealisierte Querschnitte werden präsentiert. Ergebnisse für die Exzitonendispersion, die kinetische Masse der Schwerpunktbewegung und die Veränderung der Wellenfunktion mit zunehmendem Schwerpunkt-Impuls Q werden für einen spezifischen GaAs/AlGaAs  - V-Graben - Quantendraht diskutiert. Zum Vergleich werden sehr genauen Rechnungen sowohl im Orts- als auch im Impulsraum für GaAs/AlGaAs Quantengräben mit Dicken von 2−20 nm herangezogen.
Eine Transformation in Schwerpunkt- und Relativ-Koordinaten, die dem Exzitonproblem bei nichparabolischer Bandstruktur optimal angepaßt werden, beschleunigt die Konvergenz aller dieser Rechnungen erheblich.
Ein einfach zu gebrauchender halbanalytischer Ausdruck für die kinetische Masse wird abgeleitet aus einem Ansatz für den Exzitongrundzustand bei endlichem Impuls Q. Die erhaltenen Massenparameter stimmen gut überein mit den numerischen Ergebnissen.