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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.60: Poster

Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A

Berechnung des elektronischen Transportes nahe dem Metall-Isolator Übergang — •Loeser Andre und Solbrig Heinrich — Institut fuer Physik, TU Chemnitz, 09107 Chemnitz

Durch Anwendung der Büttiker-Formel auf eine Layer-KKR Methode

wird für realistische Materialmodelle (flüssige 3d-Übergangsmetalle,

amorphes Silizium, Silizide, GeSi) das Transmissionsverhalten

und aus der Abhängigkeit der Transmission von der Probenlänge,

die spezifische Widerstände berechnet. Dabei werden die Kohärenz

zerstörende Prozesse durch einen komplexen Anteil in der kinetische

Energie berücksichtigt.

Der Einflus von lokalen Störungen auf das elektronische

Transportverhalten wird anhand einer detaillierteren Darstellung

durch Eigenkanäle beschrieben.