Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation
HL 12.64: Poster
Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A
Magnetfeld-induzierter Metall-Isolator-Übergang in schmalen Engstellen — •Jörn Regul1, Bernd Huneke1, Ulrich Zeitler1, Rolf J. Haug1, Martin Lipinski2 und Karl Eberl2 — 1Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr.2, D-30167 Hannover — 2MPI für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, D-70569 Stuttgart
Wir berichten über Transporteigenschaften schmaler Engstellen
im senkrechten Magnetfeld. Die untersuchten Engstellen mit
Abmessungen zwischen einigen hundert nm und einigen µ m
wurden durch Aufwachsen einer GaAs/AlGaAs-Heterostruktur auf
ein geeignet vorstrukturiertes GaAs-Substrat hergestellt.
Transportmessungen an der Engstelle im senkrecht zur Stromrichtung
angelegten Magnetfeld zeigen einen Übergang vom metallischen
in den isolierenden Bereich bei einem jeweils spezifischen
Magnetfeld für verschiedene Elektronendichten in der Engstelle.
Die Verknüpfung von kritischem Feld und Elektronendichte der
Engstelle führt auf einen kritischen Füllfaktor, der für
verschiedene Proben einen Wert nahe Eins liefert. Es liegt deshalb
nahe, dieses Verhalten auf einen Metall-Isolator-Übergang durch
die Entleerung des letzten Landauniveaus innerhalb der Engstelle
zurückzuführen.