Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.69: Poster

Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A

Nahkantenfeinstruktur von Halbleitern: ab-initio Studien — •S. Tellmann, P. Krüger und J. Pollmann — Institut für Theoretische Physik II, Wilhelm-Klemm-Str. 10, D-48149 Münster

Aus der Feinstruktur in der Nähe von elementspezifischen Ionisationskanten in Röntgenabsorptionsspektren und Elektronenenergieverlustspektren lassen sich wertvolle Informationen über die elektronischen und strukturellen Eigenschaften der untersuchten Systeme gewinnen. In diesem Beitrag wird die Anwendung von ab-initio Bandstrukturrechnungen zur theoretischen Bestimmung und Interpretation der gemessenen Spektren vorgestellt. Diese Untersuchungen wurden im Rahmen der lokalen Dichteapproximation der Dichtefunktionaltheorie durchgeführt. Zur Darstellung der Wellenfunktionen werden sowohl Gaußorbitale als auch ebene Wellen benutzt. Die Anregung eines Core-Elektrons beim Absorptionsprozess führt zu einer Störung des Kristalls. Diese wird unter Verwendung von Pseudopotentialen, die für ionisierte Atome berechnet worden sind, in Superzellenrechnungen sowie Greensfunktionsrechnungen berücksichtigt. Beispielhaft wird für Siliziumkarbid und Gruppe III-Nitride in kubischer und hexagonaler Modifikation der Einfluß verschiedener Approximationsstufen der Theorie auf die resultierenden Spektren diskutiert. Diese stimmen bei Berücksichtigung von Endzustandseffekten sehr gut mit den vorliegenden experimentellen Daten überein.