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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation
HL 12.72: Poster
Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A
Strukturelle und optische Untersuchungen an Er dotierten nc-Si/SiO2 Übergitterstrukturen — •Michael Schmidt1, Margit Zacharias1, Stefan Richter1, Jürgen Bläsing1, Peter Veit1 und Bernhard Breeger2 — 1Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg — 2Institut für Festkörperphysik, Friedrich-Schiller-Universität Jena
Es wird die Er-Dotierung (1.7 x 1021 cm(−3)) von nanokristallinen Si/SiO2 Übergitterstrukturen untersucht. Die projizierte Reichweite der mit 200 keV implantierten Er-Ionen beträgt ca. 60 nm. Das Tiefenprofil der Er-Dotierung wird mittels RBS-Untersuchungen ermittelt. Durch Temperung bei 800oC für30…240 min werden die Si-Sublagen vollständig kristallisiert. Die mittlere Kristallitgröße der Si-Kristalle wird
mit Hilfe von Röntgen-Weitwinkelstreuung zu 5.7 nm bestimmt. Durch die Temperatur-Behandlung werden zudem die Implantationsschäden ausgeheilt. Transmissionselektronenmikroskopische Aufnahmen belegen, dass die Übergitterstruktur durch die Er-Implantation nicht zerstört wird.
Der Einfluß der Nanokristalle in der Umgebung des implantierten Erbiums wird untersucht. Die Er-Lumineszenz bei 1,54 µm wird in Abhängigkeit von Temperatur (5…300 K), Temperzeit und Anregungsdichte diskutiert.