Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.73: Poster

Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A

Sekundäremission von GaAs-Quantenfilmen — •Birger Seifert, Christoph Nacke, Frank Kieseling und Heinrich Stolz — FB Physik, Universität Rostock, 18051 Rostock

Die Eigenschaften der sekundären Emission exzitonischer Übergänge in Halbleitern sind seit längerer Zeit Gegenstand intensiven Interesses [1]. Wir berichten über Untersuchungen der Emission von GaAs-Quantenfilmen bei einer Temperatur von 12 K nach Anregung mit ultrakurzen Laserpulsen. Durch spektrale Interferometrie wird der kohärente Anteil der Emission bestimmt. Eine neue Methode zur Auswertung der interferometrischen Messungen wird vorgestellt. Aus der Analyse ergibt sich der zeitabhängige Anteil der Emission nach Betrag und Phase.

Es wird ein analytisches Modell zur Modellierung der kohärenten sekundären Emission entwickelt. Die Linienform der exzitonischen Resonanzen, der Kohärenzgrad der sekundären Emission und die Zerfallszeiten der kohärenten Anteile werden bestimmt. Im Zeitverhalten der Emission wurden im Gegensatz zu früheren Untersuchungen (siehe [1]) keine exzitonischen Speckle beobachtet.

Die Abhängigkeiten der sekundären Emission von der Probentemperatur, der Anregungsleistung , der Photonenenergie und vom Anregungsort auf der Probe werden diskutiert, insbesondere im Hinblick auf verschiedene Lokaliserungsmodelle.

[1] s. Beiträge in: Adv. Solid State Physics, B. Kramer, ed. 39 (1999)