Regensburg 2000 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.74: Poster

Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A

GaN basierende Laserdioden auf SiC Substraten — •Stefan Bader¹, Hans-Jürgen Lugauer¹, Berthold Hahn¹, Alfred Lell¹, Georg Brüderl¹, Johannes Baur¹, Dominik Eisert¹, Manfred Scheubeck¹, Sabine Heppel², Andreas Hangleiter² und Volker Härle¹ — ¹Osram Opto Semiconductors GmbH & Co OHG, 93049 Regensburg — ²Institut für Technische Physik, Technische Universität Braunschweig, 38106 Braunschweig

Elektrisch gepumpte GaN-basierte Laserdioden mit GaInN-Mehrfachquantentrögen wurden demonstriert. Die Bauteile wurden mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie auf SiC Substraten abgeschieden. Gewinngeführte Laser mit gespalten Spiegeln weisen bei gepulster Anregung und Raumtemperatur eine Schwellenstromdichte von weniger als 20 kA/cm2 bei einer Emissionswellenlänge von 420 nm auf. Zur schnellen Charakterisierung der Laserstrukturen werden die elektrooptischen Eigenschaften direkt ohne Strukturierung auf der Scheibe gemessen. Dazu ist nur die thermische Aktivierung der Magnesium-Akzeptoren sowie das Aufdampfen von Metallkontakten erforderlich. Zusammen mit einer optisch angeregten Gain-Messung ist eine grobe Abschätzung der Qualität der Epitaxie-Schicht hinsichtlich der späteren Lasertätigkeit möglich.