Regensburg 2000 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.9: Poster

Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A

Phononenabsorption im Quanten-Hall-Effekt — •M. Monka¹, U. Zeitler¹, F. Hohls¹, R.J. Haug¹ und K. Eberl² — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstraße 2, D-30167 Hannover — ²MPI für Festkörperforschung, Heisenberstraße 1, D-70569 Stuttgart

Wir untersuchen die Temperaturänderung eines zweidimensionalen Elektronensystems (2DES) im fraktionalen Quanten-Hall-Bereich aufgrund der Wechselwirkung mit ballistischen Phononenpulsen. Insbesondere beim fraktionalen Füllfaktor ν =2/3 erhalten wir eine starke Erwärmung des 2DES durch Phononenabsorption, was auf eine effiziente Kopplung der Phononen an die Magneto-Roton-Anregungslücke des 2DES zurückgeführt werden kann. Bei ν = 3/5 ist diese Änderung der 2DES-Temperatur aufgrund der Wechselwirkung mit Phononen trotz der geringeren Anregungslücke deutlich kleiner als bei ν=2/3. Dies führen wir auf eine reduzierte Phononen-Kopplung an die Anregungslücken bei 3/5 zurück. Die Relaxation des erwärmten 2DES zurück zur Substrattemperatur ist bei ν=2/3 wesentlich langsamer als beim Fülfaktor ν=1/2. Die Energierelaxation bei ν=2/3 wird im Wesentlichen durch Emission von Phononen mit der Energie der Anregungslücke dominiert und ist somit in etwa temperaturunabhägig. Bei ν=1/2 ist dagegen Phononenmemission bei allen Energien erlaubt, das Emissionsspektum lässt sich durch eine Planck-Verteilung beschreiben. Dies führt zu einer starken Erhöhung der Relaxationsrate bei höheren 2DES Temperaturen.