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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Optische Eigenschaften

HL 14.1: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 09:30–09:45, H13

Direkte Abbildung der spektralen Emissionscharakteristik von InGaN/GaN LED- Teststrukturen mit Raster-Elektrolumineszenz-Mikroskopie — •S. Richter¹, P. Fischer¹, M. Zacharias¹, J. Christen¹, A. Dadgar¹ und M. Heuken² — ¹Universität Magdeburg, PF 4120, 39016 Magdeburg — ²AIXTRON AG, Kackertstraße 15-17, 52072 Aachen

Die spektrale Emissionscharakteristik von InGaN/GaN- LED-Teststrukturen wird mittels spektral und räumlich hochaufgelöster Elektrolumineszenz-Mikroskopie in Abhängigkeit von der Injektionsstromdichte untersucht. Die Lumineszenzintensitätsverteilung und die räumliche Verteilung der Peakwellenlänge ermöglichen Aussagen *ber die Qualität der Kontakte und der aktiven Schicht sowie über die In-Fluktuation mit 1 Mikrometer lateraler Auflösung.

Das Emissionsmaximum der LED liegt im Bereich von 455 bis 460 nm. Mit Zunahme der Stromdichte wird eine lokale Wellenlängenverschiebung zu 465 nm beobachtet, verursacht durch höhere Injektionstromdichten und thermische Effekte. Das integrale Emissionsspektrum zeigt eine Blauverschiebung mit Erhöhung der Injektionsstromdichte. Die vorliegende Emissionscharakteristik wird in Hinsicht auf Bandfülleffekte und den Einfluß räumlicher Fluktuationen des Indium-Gehaltes diskutiert.

Vergleichende Photolumineszenzuntersuchungen bei 5 K ermöglichen eine Identifikation der Rekombinationsprozesse.