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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Optische Eigenschaften

HL 14.6: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 10:45–11:00, H13

Ellipsometrische Untersuchung der optischen und elektronischen Eigenschaften von GaN und SiC im VUV-Spektralbereich — •C. Cobet¹, T. Wethkamp², K. Wilmers², L. X. Benedict³, N. V. Edwards⁴, N. Esser¹ und W. Richter¹ — ¹Institut für Festkörperphysik, TU Berlin — ²Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart — ³H Division, Physics Directorate, Lawrence Livermore National Laboratory, University of California, Livermore, USA — ⁴Department of Physics, Linköping University, Sweden

Die Untersuchung von Halbleitermaterialien mittels spektroskopischer Ellipsometrie oberhalb des fundamentalen Bandabstandes ermöglicht die direkten Bestimmung der optischen Eigenschaften ε₁, ε₂, die mit elektronischen Anregungen verknüpft sind. Aus den Strukturen in der dielektrischen Funktion kann die Lage und Dimensionalität von Interbandübergängen bestimmt, sowie im VUV-Spektralbereich die Existenz von Core-level-Anregungen nachgewiesen werden.

Vorgestellt werden ellipsometrische Messungen an hexagonalem GaN und verschiedenen SiC-Kristallmodifikatioenen im Spektralbereich von 2.5 bis 25eV. Die Strukturen in der dielektrischen Funktion werden Interbandanregungen an spezifischen Punkten in der Brillouinzone zugeordnet und mit verschiedenen Bandstrukturrechneungen verglichen. Die gemessene dielektrische Funktion von GaN zeigt dabei eine sehr gute quantitative Übereinstimmung mit den Ergebnissen aus DFT-LDA-Rechnungen.