Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 15: Photovoltaik I

HL 15.11: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 12:00–12:15, H14

Struktur laserkristallisierter polykristalliner Siliziumfilme auf Glassubstraten für Silizium-Dünnschicht-Solarzellen — •M. Nerding¹, S. Christiansen¹, H.-P. Strunk¹, G. Andrä², F. Falk², E. Ose² und J. Bergmann² — ¹Institut für Werkstoffwissenschaften-Mikrocharakterisierung, Universität Erlangen, Cauerstr. 6, 91058 Erlangen — ²Institut für Physikalische Hochtechnologie, Fröbelstr. 1, 07745 Jena

Wir haben Saatschichten aus amorphem Silizium auf

Glassubstraten laserkristallisiert und

hinsichtlich ihrer Korngröße, der Population der

Korngrenztypen und einer Textur mittels

Transmissionselektronenmikroskopie und

Elektronenrückstreuanalyse charakterisiert.

Unsere Untersuchungen zeigen, daß unter optimalen

Kristallisationsbedingungen bei Saatschichtdicken

von einigen 100 nm Korngrößen von 30 - 100 µm realisierbar

sind. Ein wichtiges Ergebnis ist, daß unabhängig von dem

verwendeten Lasertyp und der genauen Vorgehensweise beim

Kristallisationsprozeß überwiegend Zwillingskorngrenzen 1. und 2. Ordnung

auftreten.