Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 15: Photovoltaik I
HL 15.1: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 09:30–09:45, H14
Charakterisierung von industrierelevanten rückseitenkontaktierten Silicium-Solarzellen — •J. Sölter, J. Dicker, J.O. Schumacher, S.W. Glunz und W. Warta — Fraunhofer-ISE, Oltmannsstraße 5, D 79100 Freiburg
Dünne rückseitenkontaktierte Silicium-Solarzellen sind für eine
industrielle Fertigung von besonderem Interesse. Im Vergleich zu
herkömmlichen Solarzellen bieten sie einen Preisvorteil durch
niedrigeren Materialeinsatz und durch eine einfachere
Verschaltbarkeit der einzelnen Zellen im Modul. Desweiteren entfallen
die Abschattungsverluste durch Kontaktierungsgitter auf der
Zellvorderseite.
Zur Charakterisierung eines solchen Solarzellentyps werden
zweidimensionale Simulationen mit Hilfe des
Halbleitersimulationsprogramms DESSIS durchgeführt. Das Verhalten
der charakteristischen physikalischen Größen
(Wirkungsgrad η, Füllfaktor, Voc, Jsc) bei Variation
der Zellgeometrie wird untersucht. Hierbei sind die
Kontaktabstände und -breiten und die Breite des Bereichs zwischen
Rückseitenemitter und Basiskontakt von besonderem Interesse. Ein
Minimum dieser geometrischen Größen gibt dabei der
Fertigungsprozeß vor. Rückseitenkontaktzellen mit selektivem
Emitter und zusätzlicher p+-Dotierung unter dem Basiskontakt
werden mit Rückseitenkontaktzellen mit großflächig
hochdotiertem Emitter verglichen. Zusätzlich wird der Einfluß
unterschiedlicher Modellierungen der hochdotierten Bereiche auf die
Zellsimulation, insbesondere auf die berechnete Leerlaufspannung,
untersucht.