Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 15: Photovoltaik I
HL 15.2: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 09:45–10:00, H14
Ladungstransport in mikrokristallinen Silizium-Germanium-Schichten (µc-SiGe:H) — •F. Voigt1,2, R. Carius1, T. Unold2, M. Krause1 und G.H. Bauer2 — 1Institut für Schicht- und Ionentechnik, Photovoltaik, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich — 2Universität Oldenburg, 26111 Oldenburg
Temperaturabhängig wurden die Dunkelleitfähigkeit, der Hall-Effekt und die Photoleitung an nominell undotierten, mikrokristallinen Silizium-Germanium-Schichten gemessen. Die Proben mit einem Germaniumanteil x bis 0.56 wurden mit VHF-PECVD hergestellt. Aus Raman-Messungen läßt sich ein hoher kristalliner Volumenanteil und eine gute Homogenität der Zusammensetzung ableiten. Die Leitfähigkeits-/Hall-Messungen ergeben Ladungsträgerkonzentrationen zwischen 1011 cm−3 und 1014 cm−3 bei 300 K. Wir finden n-Leitung bei x<0.5 und haben Hinweise auf p-Leitung bei x>0.5. Die Hall-Beweglichkeit der Ladungsträger ist schwach thermisch aktiviert und ähnlich groß wie in nominell undotierten µc-Si:H-Proben (0.2−1.5 cm2/Vs bei 300 K bei µc-SiGe:H). Die Ergebnisse der Messungen des Majoritätsladungsträgertransports werden mit den Resultaten der temperaturabhängigen Photoleitung und der Photoladungsträgergitter-Methode (SSPG) verglichen und auf der Basis von Modellen für polykristallines und mikrokristallines Silizium diskutiert.