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Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 15: Photovoltaik I

HL 15.3: Talk

Tuesday, March 28, 2000, 10:00–10:15, H14

Einfluß von Grenzflächeneigenschaften auf den a-Si:H(n+)/c-Si(p) Heterokontakt — •K. Brendel1, A. Froitzheim1, K. Kliefoth1, M. Schmidt1, W. Fuhs1 und G.H. Bauer21HMI-Berlin, Abt. Photovoltaik, Kekulestr. 5, D-12489 Berlin — 2FB Physik, C.v.O. Universität Oldenburg

Wir untersuchten den Einfluß der Substratvorbehandlung auf die

Grenzflächeneigenschaften des a-Si(n+)/c-Si(p) Heteroübergangs. Dazu

wurden die Si-Wafer unterschiedlich vorbehandelt:

(1) HF-Dip, (2) H-Terminierung, (3) naßchemisches Tunneloxid.

Auf die Substrate wurden 40nm dicke a-Si:H(n+) Emitterschichten abgeschieden

(PECVD). Neben Messungen der Photospannung, der I-U Kennlinien

(100K-400K), der Quantenausbeute und der Kapazität wurde

eine Kontaktstrommessung zur Charakterisierung der

Grenzflächenrekombination S benutzt.

Die Vorbehandlungen spiegeln sich in deutlichen Abweichungen von

S wider. Dieses Ergebnis korreliert mit den anderen untersuchten elekrischen

Eigenschaften. I-U-Messungen deuten auf eine Barriere für den

Minoritätentransport aus dem Absorber hin. Die besten Solarzellen

ergeben sich mit Vorbehandlung (2) (η=11,8%).

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