Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 15: Photovoltaik I
HL 15.6: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 10:45–11:00, H14
Einfluß von Dotierung auf die Laserkristallisierung von a-Si:H-Schichten — •P. Lengsfeld1, S. Christiansen2, I. Sieber1 und N. H. Nickel1 — 1Hahn-Meitner-Instiut Berlin, Kekulestr. 5, 12489 Berlin — 2Universität Erlangen-Nürnberg, Institut für Werkstoffwissenschaften
Für die Abscheidung von Dünnschichtsolarzellen werden
polykristalline Silizium-Keimschichten durch Laserkristallisierung
von amorphem Silizium (a-Si:H)mittels eines XeCl-Excimerlasers
(λ =308 nm)hergestellt. Durch sukzessive Kristallisierung werden
a-Si:H-Schichten mit einem Wasserstoffgehalt von bis zu 10 at% bei
Raumtemperatur kristallisiert. Die optimierten undotierten
laserkristallisierten Schichten haben eine Korngröße von 2−4 µ m
mit geringer Versetzungsdichte innerhalb der Körner (≈ 106 cm−2)
sowie einer ausgeprägten (111)-Vorzugsorientierung. Für
hochdotierte polykristalline Filme als Keimschichten wurden
a-Si:H-Schichten mit unterschiedlicher Bor- und Phosphor-
Dotierung hergestellt und kristallisiert. Die Dotierung
beeinflußt die Parameter für die Herstellung von Schichten
mit maximaler Korngröße. Die Variation der
Laserenergieflußdichte beträgt dabei bis zu 90 mJ/cm2.
Der Einfluß der Doterierung auf die strukturellen Eigenschaften
der Schichten wird dargestellt. Die Ladungsträgerkonzentration
der Schichten beträgt ≈ 2 × 1021 cm−3
für n-Typ und ≈ 5 × 1020 cm−3 für p-Typ.