Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 15: Photovoltaik I
HL 15.9: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 11:30–11:45, H14
Einfluß des naßchemischen Ätzprozesses für poröses Silizium auf siebgedruckte Metallkontakte für Siliziumsolarzellen — •Martin Schnell und Dominik M. Huljić — Fraunhofer Institut für Solare Energiesysteme ISE, Oltmannsstr. 5, 79100 Freiburg
Das naßchemische Ätzen kristalliner Si–Solarzellen zur Bildung von porösem Silizium auf der Vorderseite als Antireflexbeschichtung ist eine Alternative zu herkömmlichen Beschichtungsverfahren. Dabei entsteht zusätzlich ein selektiver Emitter. Der Ätzprozeß ist jedoch mit einer Füllfaktordegradation verbunden, die auch auf erhöhte Serienwiderstandsverluste zurückgeführt werden kann. Zur Analyse der Serienwiderstände wurden Messungen des spezifischen Widerstandes ρp der gesinterten Kontakte sowie des spezifischen Kontaktwiderstands ρc durchgeführt. Die Bestimmung von ρc erfolgte über eine Transmission–Line–Model–Messung, die außerdem eine Charakterisierung der Emitterschicht unter und neben den Kontakten erlaubt. Auf Basis der Meßergebnisse wird die Auswirkung des Ätzprozesses auf die Kontakte und den Emitter diskutiert.