Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 16: Störstellen/Grenz- und Oberfl
ächen I
HL 16.10: Talk
Tuesday, March 28, 2000, 11:45–12:00, H17
Spektro-Mikroskopie auf multikristallinem Silizium — •Patrick Hoffmann1, Ricardo P. Mikalo1, Dieter Schmeißer1 und Martin Kittler2 — 1Brandenburgische Technische Universität Cottbus, LS Angewandte Physik - Sensorik, Postfach 101344, D-03044 Cottbus, Germany — 2Institut für Halbleiterphysik (IHP) , Walter-Korsing-Straße 2, D-15230 Frankfurt (Oder), Germany
Es werden spektro-mikroskopische Untersuchungen an multikristallinem Silizium (mc-Si) vorgestellt, einem aussichtsreichen Material für die Herstellung preiswerter Solarzellen. Dazu wird ein Photoemissions- Elektronenmikroskop (PEEM) ausgestattet mit einem zusätzlichen Energieanalysator für Elektronen (µESCA) genutzt. Bei Verwendung eines Synchrotrons als Anregungsquelle ist es so möglich, sowohl Absorbtions-Spektren (NEXAFS) als auch Photoelektronen-Spektren (PES) mit Ortsauflösung zu erhalten.
Dabei wird gezeigt, dass das natürliche Oxid zur Untersuchung der morphologie-abhängigen Oberflächenpotentiale nicht entfernt werden muss. Des Weiteren wird die Verteilung von Ca- und Na-Ausscheidungen, die auf dem mc-Si gefunden wurden, durch ortsaufgelöstes NEXAFS bzw. PES dargestellt.
Für den Photoemissions-Prozess des mc-Si im PEEM wird ein Modell aufgestellt, welches Photoemission mit einer Quecksilberdampflampe (hνmax = 4,9 eV) erklärt.