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HL: Halbleiterphysik

HL 16: Störstellen/Grenz- und Oberfl
ächen I

HL 16.12: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 12:15–12:30, H17

HREELS-Untersuchung an SiC(0001) und GaN{0001}-Oberflächen — •Stefan P. Grabowski, Stefan Glass, Hermann Nienhaus und Winfried Mönch — Laboratorium für Festkörperphysik, Universität Duisburg

Mit der hochauflösenden Elektronenergieverlust-Spektroskopie

(HREELS) wurden die phononischen- und elektronischen

Eigenschaften von 4H- und 6H-SiC(0001)- sowie

GaN0001-Oberflächen untersucht. Die SiC-Oberflächen wurden

durch schrittweises Anlassen graphitiert. In den HREEL-Spektren

zeigte sich nach Einsetzen der

(6√3×6√3)-Rekonstruktion mit zunehmender

Anlaßtemperatur eine stetige Abnahme der Intensität des

Fuchs-Kliewer-Phononverlustes sowie die Ausbildung einer

Asymmetrie zu höheren Verlustenergien dieser Verlustlinie.

Dieses Verhalten läßt sich durch die Ausbildung einer

Oberflächenschicht mit metallischer Leitfähigkeit erklären.

Im Falle des GaN wurde die Wechselwirkung mit atomarem Wasserstoff

und Deuterium untersucht. Es wurde die Adsorption von H und D

sowohl an Ga- als auch N-Atomen der Oberfläche beobachtet. Im

Bereich der elektronischen Anregungen wurde ein

Bandlückenzustand gefunden, der nach großen H-Angeboten

verschwindet. Somit kann dieser einem Oberflächenzustand

zugeordnet werden.