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HL: Halbleiterphysik

HL 16: Störstellen/Grenz- und Oberfl
ächen I

HL 16.2: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 09:45–10:00, H17

Brewsterwinkel-Spektroskopie an Sauerstoff-implantiertem GaP — •Michael Lublow, Helmut Jungblut und H. Joachim Lewerenz — Abtlg Grenzflaechen HMI Berlin

Anhand des bekannten O Defektes in GaP werden Moeglichkeiten

und Grenzen der kontaktlosen Defektidentifizierung in Halbleitern

mit Brewsterwinkel-Spektroskopie bei Raumtemparatur aufgezeigt.

Es werden unbehandelte und mit zwei unterschiedlichen

O-Konzentrationen implantierte Proben verglichen. Bereits

Defektkonzentrationen im ppb Bereich konnten nachgewiesen

werden. Das Ausheilverhalten bei Temperung und vergleichende

Photolumineszenzmessungen werden vorgestellt.