Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 16: Störstellen/Grenz- und Oberfl
ächen I
HL 16.3: Talk
Tuesday, March 28, 2000, 10:00–10:15, H17
Modellierung der Oberflächenrekombination an der SiO2/p-Si-Grenzfläche in Abhängigkeit der Überschußladungsträgerdichte — •A. Bierhals, A. Metz und R. Hezel — Institut für Solarenergieforschung Hameln/Emmerthal (ISFH), Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal
Die Rekombination an der SiO2/p-Si-Grenzfläche beeinflußt in signifikanter Weise das Verhalten von hocheffizienten oxid-passivierten Siliciumsolarzellen [1]. In der vorliegenden Arbeit wird die Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit Seff(Δ n) in Abhängigkeit der Überschußladungsträgerdichte mit Hilfe eines numerischen Ansatzes von Girisch [2] modelliert. Die hierbei eingehenden Parameter sind vor allem die Dichte Dit(E) der Grenzflächenzustände sowie deren Einfangquerschnitte σp/n(E,T) in Abhängigkeit von der Energie und der Temperatur. Diese Parameter werden anhand von Kapazitäts-Spannungs (C-U) - Kurven im Dunkeln und unter Beleuchtung sowie Kapazitätstransienten-Spektroskopie an Al/SiO2/p-Si (MOS) - Kondensatoren gemessen. Dabei zeigt sich, daß bei ausschließlicher Betrachtung von Grenzflächenzuständen Widersprüche in der Auswertung der Meßergebnisse auftreten. Diese Widersprüche lassen sich auflösen, wenn zusätzliche Störstellen aus dem SiO2-Volumen nahe der SiO2/p-Si-Grenzfläche in das Modell mit einbezogen werden.
[1] A.G. Aberle, S.W. Glunz, A.W. Stephens and M.A. Green, Progress in Photovoltaics 2, 265 (1994).
[2] R. Girisch et al., IEEE Trans. Electr. Dev. 35(2), 203 (1988).