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Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 16: Störstellen/Grenz- und Oberfl
ächen I

HL 16.5: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 10:30–10:45, H17

EPR-Nachweis des einfach negativ geladenen Akzeptorzustandes Zn in Silizium — •W. Gehlhoff1, A. Näser1 und H. Bracht21Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — 2Universität Münster, Institut für Metallforschung, Wilhelm-Klemm- Str. 10, D-48149, Münster

Die elektronischen Eigenschaften von Zn in monokristallinem Si wurden mittels EPR untersucht. Bisher sind nur Zn-korrelierte Paardefekte, aber keine isolierten Zn-Zentren nachgewiesen worden [1]. In p- und hochohmigen n-leitendem Si fanden wir nach Zn Dotierung zwei neue Liniensätze. Davon zeigt einer das charakteristische Verhalten von −1/2 ↔ +1/2 und −3/2 ↔ +3/2 Übergängen eines Γ8-Zustandes in kubischer Symmetrie. Die Winkelabhängigkeit dieser Übergänge kann durch Berücksichtigung des Koster-Statz Terms fBS3 im SH-Operator für S=3/2 und den Parametern g=1.1749 und |f|=0.4202 (g·f>0) beschrieben werden. Zusätzlich wird für Magnetfeldlagen um B||<100> ein aus insgesamt 7 Linien bestehender zweiter Liniensatz beobachtet, der durch Übergänge innerhalb einer (Γ7 − Γ8)-Mannigfaltigkeit beschrieben werden kann. Das Gesamtspektrum wird durch den negativen Ladungszustand des isoliert und substitutionell eingebauten Zns in Si erzeugt.

[1] H.E. Altink, T. Gregorkiewcz, C.A.J. Ammerlaan, Mat. Res. Soc. 262 (1992)525

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