Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 16: Störstellen/Grenz- und Oberfl
ächen I

HL 16.9: Talk

Tuesday, March 28, 2000, 11:30–11:45, H17

ARUPS-Untersuchung der Bedeckungsabhängigkeit des Nb-induzierten zweidimensionalen Elektronengases auf InAs(110) — •Markus Morgenstern¹, Mathias Getzlaff¹, Robert L. Johnson², and Roland Wiesendanger¹ — ¹Inst. f. Angew. Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, D-20255 Hamburg, Germany — ²I. Inst. f. Experimentalphysik, Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, D-22671 Hamburg, Germany

Die Kombination von Supraleitern mit niederdimensionalen Elektronensystemen ist aufgrund der möglichen Steuerbarkeit von Supraströmen von besonderem Interesse (1). Ein solches System läßt sich oberflächennah durch die Deposition von Nb auf InAs(110) realisieren. Miniaturisierung verlangt hier den Übergang zu immer kleineren Nb-Bedeckungen. Dessen Auswirkung auf die Induktion des zweidimensionalen Elektronengases (2DEG) ist jedoch kaum bekannt. Wir zeigen anhand von Photoemissionsmessungen, daß bereits Bedeckungen von 0,2 % einer Monolage ausreichen, ein oberflächennnahes 2DEG zu erzeugen. Die Entwicklung des zweidimensionalen Elektronengases mit der Bedeckung wird detailliert verfolgt. Außerdem werden erste Messungen zur Dispersion des 2DEG präsentiert.
(1) H. Takayanagi et al., Phys. Rev. Lett. 54, 2449 (1985)