Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 18: Halbleiterlaser

HL 18.12: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 17:45–18:00, H14

Hochleistungs-Quantenpunktlaser bei 1100 nm — •Ch. Ribbat, M. Grundmann, F. Heinrichsdorff und D. Bimberg — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin

Es wurden mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOCVD) Hochleistungs-Halbleiterlaserdioden hergestellt, welche Vielfachschichten von InGaAs / GaAs Quantenpunkten als aktives Medium enthalten. Bei Raumtemperatur demonstrierten diese Quantenpunktlaser mit Streifenbreiten von 100 µ m im Pulsbetrieb eine maximale optische Leistung von 3,7 W

bei 1100 nm Lasingwellenlänge. Desweiteren wurde die Temperaturabhängigkeit T₀, Strahlfilamentation und Strahlqualität M² dieser Laser untersucht. Aus dem Sättigungsverhalten des Lasingspektrums bei hohen Pumpdichten konnte die Nachfüllzeit zu < 14ps und die maximale Leistung einzelner Quantenpunkte zu 16 nW abgeschätzt werden.