Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 18: Halbleiterlaser

HL 18.5: Talk

Tuesday, March 28, 2000, 16:00–16:15, H14

Lateral komplex gekoppelte GaInAsP/InP DFB-Laser für die hochfrequente optische Nachrichtenübertragung hergestellt mit fokussierter Ionenstrahllithographie — •S. Rennon¹, J.P. Reithmaier¹, A. Forchel¹, J.L. Gentner² und L. Goldstein² — ¹Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg — ²Alcatel Corporate Research Center, OPTO+, Groupement d’Interet Economique, Route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France

Mit hochauflösender fokussierter Ionenstrahllithographie ist es im GaInAsP/InP Materialsystem möglich unter Ausnutzung von implantationsinduzierter Durchmischung von Quantenfilmen und implantationsunterstützten selektiven Ätzen komplex gekoppelte Gitterstrukturen zu realisieren. Dieses neuartige Verfahren wurde eingesetzt, um lateral komplex gekoppelte DFB-Laser für den 1,55 µ m Wellenlängenbereich herzustellen. Laserdioden mit Resonatorlängen von 300 µ m zeigen stabile monomodige Emission mit über 40 dB Seitenmodenunterdrückung und einer Ausgangsleistung von über 10 mW pro Facette.

Messungen des relativen Intensitätsrauschens (RIN), sowie erste Kleinsignal-Modulationsexperimente ergaben Modulationsbandbreiten von über 10 GHz.