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HL: Halbleiterphysik

HL 18: Halbleiterlaser

HL 18.6: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 16:15–16:30, H14

Eigenschaften von AlGaAs/GaAs-Quantenkaskadenlasern — •Stefan Schmult¹, Werner Wegscheider¹, Jörg Raabe¹, Gottfried Strasser², Max Bichler³ und Gerhard Abstreiter³ — ¹Universität Regensburg, Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, 93040 Regensburg — ²TU Wien,Festkörperelektronik, A-1040 Wien — ³Walter Schottky Institut, TU München, 85748 Garching

Auf GaAs-basierende Intersubbandlaser wurden mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt. Transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen zeigen die hohe strukturelle Qualität dieser Laser. Stimulierte Emission konnte bis zu Temperaturen von 140K nachgewiesen werden. Die in Streifenleitergeometrie strukturierten Laser mit unvergüteten Spaltflächen als Resonatorspiegel arbeiten bei Flüssigstickstofftemperatur mit einer Schwellstromdichte von 8kA/cm². Die Emission ist multimodig mit einer Zentralwellenlänge von 8.6µm. Abhängig vom Design der Laser kann mit der Emission der gesamte MIR-Bereich abgedeckt werden. Der Vortrag beschreibt zusammenfassend Probleme der Strukturierung, Prozessierung und des Wachstums dieser Qunatenkaskadenlaser und legt die Gründe der Temperaturlimitierung dar.