Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 18: Halbleiterlaser

HL 18.7: Talk

Tuesday, March 28, 2000, 16:30–16:45, H14

DFB Halbleiterlaser auf der Basis von GaInAsSb/AlGaAsSb Heterostrukturen — •Thomas Bleuel, Martin Brockhaus, Jürgen Hofmann, Martin Kamp und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Für Halbleiterlaser mit Emissionswellenlängen im Bereich von 2µ m gibt es zahlreiche Anwendungen beispielsweise in der Gassensorik und Molekülspektroskopie. Mit einer aktiven Zone bestehend aus einem GaInAsSb-Quantenfilm kann man in Abhängigkeit vom In- und As-Gehalt die Emissionswellenlänge von ca. 1.7µ m bis ca. 2.5µ m variieren. Mittels Molekularstrahl-Epitaxie wurden seperate confinement heterostructure Laser auf (100)-GaSb Substraten gewachsen. Ein 0.6µ m weiter Wellenleiter befindet sich zwischen jeweils 1.7µ m dicken äußeren Wellenführungsschichten. Die aktive Zone besteht aus einem GaInSbAs Quantenfilm umgeben von einer AlGaAsSb Barriere. Durch optische Lithographie und Trockenätzverfahren wurden Streifenwellenleiter - Laser hergestellt. Für die Selektion einzelner longitudinaler Lasermoden wurden Rückkopplungs(DFB) Gitter neben den Laserstegen durch Elektronenstrahllithographie in PMMA definiert und mittels Lift-Off-Technik als Chromgitter realisiert. Die Emissionswellenlänge läßt sich über die Gitterperiode (ca. 285nm) einstellen. Die DFB-Laser zeigen eine hohe Seitenmodenunterdrückung (größer 30 dB), niedrige Schwellen, hohe Effizienzen und stabile monomodige Emission im cw Betrieb.