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Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 19: GaN I

HL 19.1: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 15:00–15:15, H13

Metallorganische Gasphasenepitaxie MOVPE von GaAs/GaAsN/GaAs mittels Tertiärbutylhydrazin — •Michael Klein, Torsten Schmitdling, Sven Peters, U. W. Pohl und W. Richter — Institut für Festkörperphysik, Sekretariat PN 6-1, Technische Universität Berlin, Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin

In der heutigen Lichtwellenleitertechnik werden optoelektronische Bauelemente benutzt, die zwischen 1,3 und 1,55 µ m Licht emittieren und detektieren können. Dies kann inzwischen auch mit auf GaAs basierenden optoelektronischen Bauelementen erreicht werden, die eine aktive Schicht aus GaAsN besitzen. Da die optische E0 Bandkante von GaAs1−xNx eine ’anomale’ Kompositionsabhängigkeit besitzt, kann dieser Spektralbereich schon durch Einbau von wenige Prozent Stickstoff bei relativ geringen Gitterverspannung erschlossen werden.
Wir haben GaAs/GaAsN/GaAs Schichtstapel bei unterschiedlichen Wachstumsbedingungen unter Verwendung von TBHy und TMGa abgeschieden. Als Arsinquelle dienten sowohl Arsin (AsH3) als auch Tertiärbutylarsin (TBAs). Die Kristallinität wurde röntgendiffraktometrisch bestimmt. Dabei ergab sich bei der Verringerung der Wachstumstemperatur ein erhöhter Stickstoffeinbau. Ein maximaler Stickstoffeinbau von 7% konnte bei 530C mit einem TBHy:TBAs Partialdruckverhältnis von 9:1 erreicht werden. Die Photolumineszenz der GaAsN Schicht konnte durch geeignetes Tempern verstärkt werden. AFM-Aufnahmen von dickeren teilrelaxierten Schichten zeigen eine Oberflächenrestrauhigkeit der Schicht von nur 0,15 nm.

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