Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 19: GaN I

HL 19.12: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 17:45–18:00, H13

Resonante Raman-Streuung in GaN- und ZnSe-basierten Halbleiterstrukturen — •Axel Kaschner, Axel Hoffmann und Christian Thomsen — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany

Unter resonanter Raman-Streuung (RRS) versteht man die inelastische Streuung von Licht an optischen Phononen, bei der die Energie des einfallenden oder gestreuten Photons der Energie eines realen elektronischen Übergangs in der untersuchten Substanz entspricht, während der nichtresonante Streuprozess über virtuelle Zwischenzustände abläuft. Die RRS ermöglicht es also, zusätzlich zu den phononischen Eigenschaften auch bestimmte elektronische Eigenschaften von Halbleiterstrukturen mittels Raman-Streuung zu untersuchen [1]. In unseren Untersuchungen geht es um die Materialsysteme GaN und ZnSe, die beide ihr Anwendungspotential im Bereich der blau und grün emittierenden Bauelemente besitzen. Um das Resonanzverhalten in der Nähe der Bandlücke zu erforschen, erfolgte die Anregung mit Energien von 3.53 eV (3.41 eV) bzw. 2.54 eV, wobei die Bandlücke über die Temperatur variiert wurde. Im speziellen wurden verschiedene- dotierte und undotierte- GaN-Proben, die mit unterschiedlichen Verfahren hergestellt wurden, und ZnSe-Proben, die CdSe-Inseln enthalten, untersucht. Die in den Spektren beobachteten Strukturen (bis zu 4LO) sowie die Resonanzprofile werden diskutiert.

[1] P. Y. Yu and M. Cardona: Fundamentals of Semiconductors (Springer, Berlin, 1996).