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HL: Halbleiterphysik

HL 19: GaN I

HL 19.14: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 18:15–18:30, H13

Reaktive MBE von GaN/(Al,Ga)N Heterostrukturen — •A. Thamm, O. Brandt und K. H. Ploog — Paul-Drude-Institut, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin

GaN/(Al,Ga)N-Heterostrukturen auf SiC(0001) wurden mit reaktiver Molekularstrahlepitaxie (RMBE) gewachsen, die als Stickstoff-Precursor Ammoniak nutzt. In dieser Arbeit wurden das (Al,Ga)N-Wachstum und die Morphologie von GaN-Oberflächen sowie GaN/(Al,Ga)N-Grenzflächen untersucht. Dazu wurden unter stöchiometrischen Wachstumsbedingungen Serien mit unterschiedlichen Al-Gehalt und Quantentopfdicke hergestellt und mit in situ Elektronenbeugung, Rasterkraftmikroskopie, Röntgenbeugung, Photolumineszenz (PL) und Transmissionsmikroskopie untersucht. Während GaN-Oberflächen monoatomare Stufensysteme mit Terassenbreiten um 100 nm ausbilden, rauhen die GaN/(Al,Ga)N-Grenzflächen mit zunehmendem Al Gehalt immer mehr auf. Diese Grenzflächenrauhigkeiten resultieren in einer Verbreiterung und Rotverschiebung der PL.