Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 19: GaN I

HL 19.15: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 18:30–18:45, H13

MBE-Wachstum und Lumineszenz von (In,Ga)N/GaN Multiquantenwells im violetten bis gelben Bereich — •P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, M. Reiche und K. H. Ploog — Paul-Drude-Institut, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin

Wir untersuchen das Wachstum von (In,Ga)N/GaN Multiquantumwells mittels plasma-unterstützter Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf 6H-SiC(0001). MBE zeichnet sich gegenüber der üblicherweise benutzten metall-organischen Gasphasenabscheidung durch eine deutlich geringere Wachstumstemperatur aus, wodurch ein homogenerer In-Einbau möglich ist. Strukturelle Eigenschaften dieser Proben werden mit Röntgenbeugung, Rasterkraft- und Transmissionsmikroskopie untersucht. Durch Variation der Wachstumsparameter in geeigneter Weise wurden In-Gehalte bis zu 70% ohne Entmischung erreicht, Photolumineszenz (PL) erfolgt vom ultravioletten bis in den gelben Spektralbereich. Die Temperaturabhängigkeit der PL ermöglicht Abschätzungen über Tiefe und Dichte der Kompositionsfluktuationen, während intensitätsabhängige Messungen das Einsetzen stimulierter Emission zeigen.