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HL: Halbleiterphysik

HL 19: GaN I

HL 19.16: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 18:45–19:00, H13

Untersuchungen zur Wellenführung in Gruppe-III-Nitrid-Heterostrukturen — •M. Röwe¹, P. Michler¹, J. Gutowski¹, S. Bader², B. Hahn² und V. Härle² — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Straße, 28359 Bremen — ²Osram Semiconductors GmbH&Co. OHG, Wernerwerkstraße 2, 93049 Regensburg

Eine gute Wellenleitung, durch den Einschluß der optischen Mode in der aktiven Schicht, ist von entscheidender Bedeutung für die optimale Funktion von Halbleiterlasern. Da eine direkte Messung des Wellenleiternahfeldes mit Hilfe einer abbildenden Optik aufgrund der Beugungsbegrenzung nicht möglich ist, untersuchen wir die wellenführenden Eigenschaften von Laserstrukturen mit Hilfe von Fernfeldmessungen. Charakterisiert werden (In,Ga)N/GaN/(Al,Ga)N-Strukturen, die mittels MOCVD auf einem SiC-Substrat gewachsen sind. Der Wellenleiter besteht aus GaN/(Al,Ga)N-Schichten mit (In,Ga)N-Quantum-Wells als aktive Zonen in der Mitte.
Zur Untersuchung wird Laserlicht mit einer Energie unterhalb der fundamentalen Absorptionskante der Proben eingekoppelt. Aus dem gemessenen Intensitätsverlauf im Fernfeld wird mit Hilfe der Fourierrücktransformation auf das Nahfeld zurückgerechnet.
Der Einfluß von symmetrischen und unsymmetrischen Wellenleitern wird durch Modellierung der Wellenausbreitung in den Proben genauso untersucht wie das Verhalten von Stopbarrieren zur Verbesserung des elektrischen Einschlusses. Die Ausbreitungskonstanten β und der optische Einschlußfaktor Γ des Wellenleiterfeldes werden berechnet.