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HL: Halbleiterphysik
HL 19: GaN I
HL 19.2: Talk
Tuesday, March 28, 2000, 15:15–15:30, H13
Einfluß der MOCVD Wachstumstemperatur auf die Zusammensetzung von InxGa1−xN — •E. Hahn1, B. Neubauer1, A. Rosenauer1, D. Gerthsen1, T. Stephan2, H. Kalt2, O. Schön3 und M. Heuken3 — 1Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe, Engesserstraße 7, 76128 Karlsruhe — 2Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, Engesserstraße 7, 76128 Karlsruhe — 3AIXTRON AG, Kackertstraße 15-17, 52072 Aachen
Es wurde die Temperaturabhängigkeit für den Einbau von Indium beim Wachstum von InxGa1−xN-Heterostrukturen mit der metallorganischen Gasphasenepitaxie untersucht. Dazu wurde eine Probenserie hergestellt, bei der lediglich die Wachstumstemperatur für das InGaN zwischen 800∘C und 860∘C variiert wurde. Alle anderen Parameter sowie der Aufbau der Probe (2µ m GaN-Pufferschicht, 3,5 nm InGaN, 10 nm GaN-Deckschicht auf Al2O3(0001) Substrat) blieben unverändert. Die Zusammensetzungsanalysen wurden mit hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie und dem Auswerteverfahren DALI (digital analysis of lattice images) durchgeführt.
Die Abnahme der Wachstumstemperatur bewirkte eine Zunahme der mittleren In-Konzentration von 9 auf 17%. In-reiche Cluster mit wenigen nm Ausdehnung konnten unabhängig von der Wachstumstemperatur beobachtet werden. An den Proben wurden Photolumineszenzspektren aufgenommen, die mit den strukturellen und chemischen Eigenschaften korreliert werden können.