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HL: Halbleiterphysik

HL 19: GaN I

HL 19.2: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 15:15–15:30, H13

Einfluß der MOCVD Wachstumstemperatur auf die Zusammensetzung von In_xGa_1−xN — •E. Hahn¹, B. Neubauer¹, A. Rosenauer¹, D. Gerthsen¹, T. Stephan², H. Kalt², O. Schön³ und M. Heuken³ — ¹Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe, Engesserstraße 7, 76128 Karlsruhe — ²Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, Engesserstraße 7, 76128 Karlsruhe — ³AIXTRON AG, Kackertstraße 15-17, 52072 Aachen

Es wurde die Temperaturabhängigkeit für den Einbau von Indium beim Wachstum von In_xGa_1−xN-Heterostrukturen mit der metallorganischen Gasphasenepitaxie untersucht. Dazu wurde eine Probenserie hergestellt, bei der lediglich die Wachstumstemperatur für das InGaN zwischen 800^∘C und 860^∘C variiert wurde. Alle anderen Parameter sowie der Aufbau der Probe (2µ m GaN-Pufferschicht, 3,5 nm InGaN, 10 nm GaN-Deckschicht auf Al₂O₃(0001) Substrat) blieben unverändert. Die Zusammensetzungsanalysen wurden mit hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie und dem Auswerteverfahren DALI (digital analysis of lattice images) durchgeführt.

Die Abnahme der Wachstumstemperatur bewirkte eine Zunahme der mittleren In-Konzentration von 9 auf 17%. In-reiche Cluster mit wenigen nm Ausdehnung konnten unabhängig von der Wachstumstemperatur beobachtet werden. An den Proben wurden Photolumineszenzspektren aufgenommen, die mit den strukturellen und chemischen Eigenschaften korreliert werden können.