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HL: Halbleiterphysik

HL 19: GaN I

HL 19.3: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 15:30–15:45, H13

Elektrische Charakterisierung von Akzeptoren und Donatoren in GaN durch Elementumwandlung — •A. Stötzler¹, M. Deicher¹ und ISOLDE Kollaboration² — ¹Fakultät für Physik, Universität Konstanz, 78457 Konstanz — ²CERN, CH-1211 Genf 23, Schweiz

Eine Alternative zur Dotierung von Halbleitern während des Wachstums stellt die Ionenimplantation dar. Jedoch stehen den Vorteilen wie chemischer Reinheit oder wohldefinierter Dotierkonzentration, Nachteile, wie z.B. der entstehende Implantationsschaden, gegenüber. Insbesondere die elektrische Charakterisierung ionenimplantierter GaN-Schichten ist dadurch erschwert. Durch die unbeabsichtigt entstehenden intrinsischen Defekte wie z. B. Leerstellen werden die Messergebnisse stark verfälscht. Verwendet man dagegen radioaktive Dotieratome, so kann aufgrund der isotopspezifischen Halbwertszeit bei der Elementumwandlung zwischen den Dotieratomen und den implantationsbedingten Defekten unterschieden werden. Wir haben den Einfluss verschiedener Akzeptoren (z.B. Cd) und Donatoren (z.B. Se) auf die Ladungsträgerkonzentration und Ladungsträgermobilität in GaN nach Implantation radioaktiver Dotieratome untersucht.