Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 19: GaN I
HL 19.4: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 15:45–16:00, H13
Optische und magnetische Resonanz Untersuchungen an der roten Lumineszenz in GaN — •F. H. Leiter1, H. Alves1, W. Burkhardt1, N. G. Romanov2, D. M. Hofmann1 und B. K. Meyer1 — 1I. Physikalisches Institut der Justus-Liebig- Universität Gießen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Gießen — 2A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, Russia
In kodotiertem hexagonalen GaN wird eine Lumineszenzbande bei 1.8 V beobachtet. Unsere Photolumineszenz (PL) und PL- Anregungsuntersuchungen zeigen, daß sich diese Bande durch eine Rekombination zwischen tiefen (Ec-300 meV) Donatoren und tiefen Akzeptoren (Ev+1.1 eV) erklären läßt. Die optisch detektierte magnetische Resonanz zeigt zwei Signale bei g=2.01 (schwach anisotrop) und g=1.98. Sie können den tiefen Akzeptoren und Donatoren zugeordnet werden. Das universelle Auftreten der roten Lumineszenz, unabhängig von den Epitaxieverfahren läßt vermuten, daß sowohl intrinsische Defekte als auch Dotierstoffe (Kodotierung) an der Bildung der tiefen Akzeptoren und Donatoren beteiligt sind. Als Defektstrukturen werden daher für den tiefen Donator ein Stickstoff-Lücke-Kohlenstoff Komplex und für den tiefen Akzeptor ein Gallium-Lücke-Sauerstoff Komplex diskutiert. C und O konnten in hoher Konzentration durch Sekundär-Ionen-Massen- Spektroskopie nachgewiesen werden.