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HL: Halbleiterphysik

HL 19: GaN I

HL 19.5: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 16:00–16:15, H13

Elektrolumineszenz eines kubischen GaN/GaAs (001) p-n Uebergangs — •D.J. As, A. Richter, J. Busch, M. Luebbers, J. Mimkes und K. Lischka — Universitaet Paderborn, FB-6 Physik, Warburger Str.100, 33095 Paderborn

Ein kubischer GaN p-n Uebergang wurde mit Hilfe der plasma assistierten Molekularstrahlepitaxie auf n-leitenden GaAs (001) Substraten hergestellt. Fuer die p- und n-Dotierung wurden elementare Mg und Si-Strahlen verwendet. Die optischen Eigenschaften wurden mit Photolumineszenz bei Raumtemperatur und 2 K charakterisiert. Strom-Spannungs- und Kapazitaets-Spannungs-Kennlinien wurden bei 300 K gemessen.Die Elektrolumineszenz (EL) bei 300 K wurde durch einen semitransparenten Goldkontakt detektiert. Die Emission erfolgte bei 3.2 eV mit einer Halbwertsbreite von nur 150 meV. Dies deutet auf die Dominanz eines bandkantennahen Rekombinationsprozess in unserem Bauelement hin. Die Intensitaet der Elektrolumineszenz erhoehte sich linear mit zunehmender Stromdichte.