Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 19: GaN I

HL 19.7: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 16:30–16:45, H13

Optische Verstaerkung in kubischem InGaN auf GaAs — •Jens Holst¹, A. Hoffmann¹, D. Rudloff², F. Bertram², T. Riemann², J. Christen², T. Frey³, D.J. As³, D. Schikora³ und K. Lischka³ — ¹IFP, PN5-3 Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin — ²IEP, Universitaet Magdeburg — ³FB Physik, Universitaet Paderborn

Kubisches InGaN stellt aufgrund des hochwertigen Substratmaterials GaAs und der guten Laserkavitaeten eine Alternative zu Bauelementen auf Basis von h-InGaN dar. Die kubischen InGaN-Epischichten wurdens mittels RF-plasma begleiteter MBE hergestellt. Aus Kathodolumineszenz-, Photolumineszenz-, zeitaufgeloesten und Messungen der optischen Verstaerkung bei 2K und 300 K konnten Aussagen ueber die Natur der Rekombinationen und der Hochanregungseffekte gemacht werden. Die Lumineszenz verschiebt mit zunehmendem In-Anteil staerker in den roten Spektralbereich, als die aus Reflektionsmessungen bekannte Bandkante. Die zeitaufgeloesten Messungen zeigen ein nichtexponentielles Abklingen der Lumineszenz, das mit einem ßtretched exponential" Modell angepasst werden konnte. Die Hochanregungsmessungen zeigen eine starke Verschiebung der Lumineszenz zu hoeheren Energien. Diese Eigenschaften lassen sich mittels an In-Fluktuationen lokalisierten Ladungstraeger erklaeren. Aus ortsaufgeloesten Kathodolumineszenzmessungen und Gainspektroskopie ergeben sich Rueckschluesse auf den Zusammenhang zwischen In-fluktuationen und der optischen Verstaerkung.