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15:00 |
HL 19.1 |
Metallorganische Gasphasenepitaxie MOVPE von GaAs/GaAsN/GaAs mittels Tertiärbutylhydrazin — •Michael Klein, Torsten Schmitdling, Sven Peters, U. W. Pohl und W. Richter
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15:15 |
HL 19.2 |
Einfluß der MOCVD Wachstumstemperatur auf die Zusammensetzung von InxGa1−xN — •E. Hahn, B. Neubauer, A. Rosenauer, D. Gerthsen, T. Stephan, H. Kalt, O. Schön und M. Heuken
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15:30 |
HL 19.3 |
Elektrische Charakterisierung von Akzeptoren und Donatoren in GaN durch Elementumwandlung — •A. Stötzler, M. Deicher und ISOLDE Kollaboration
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15:45 |
HL 19.4 |
Optische und magnetische Resonanz Untersuchungen an der roten Lumineszenz in GaN — •F. H. Leiter, H. Alves, W. Burkhardt, N. G. Romanov, D. M. Hofmann und B. K. Meyer
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16:00 |
HL 19.5 |
Elektrolumineszenz eines kubischen GaN/GaAs (001) p-n Uebergangs — •D.J. As, A. Richter, J. Busch, M. Luebbers, J. Mimkes und K. Lischka
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16:15 |
HL 19.6 |
Analyse von Zusammensetzungsfluktuationen in InGaN - Quantentrogstrukturen — •M. Schowalter, B. Neubauer, D. Gerthsen, T. Stephan, H. Kalt, O. Schön und M. Heuken
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16:30 |
HL 19.7 |
Optische Verstaerkung in kubischem InGaN auf GaAs — •Jens Holst, A. Hoffmann, D. Rudloff, F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, T. Frey, D.J. As, D. Schikora und K. Lischka
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16:45 |
HL 19.8 |
Evolution des MOVPE-Wachstums von GaN bei athmosphärischem Druck — •S. Figge, T. Böttcher, S. Einfeldt, V. Kirchner, H. Heinke, D. Hommel, H. Tran und P. Ryder
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17:00 |
HL 19.9 |
Magnesium doped GaN and AlGaN: Optical Properties and Acceptor g-values — •H. Alves, W. Burkhardt, D. M. Hofmann, A. Hofstaetter, F. H. Leiter, N. G. Romanov, and B. K. Meyer
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17:15 |
HL 19.10 |
Der Einfluß von Wasserstoff auf Oberflächenrekonstruktionen und Wachstum von GaN — •J. Neugebauer und C.G. Van de Walle
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17:30 |
HL 19.11 |
Schottky-Kontakte auf GaN mit N- und Ga-face Polarität — •Uwe Karrer, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann
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17:45 |
HL 19.12 |
Resonante Raman-Streuung in GaN- und ZnSe-basierten Halbleiterstrukturen — •Axel Kaschner, Axel Hoffmann und Christian Thomsen
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18:00 |
HL 19.13 |
Strukturierung von Halbleitern für DFB-Anwendungen mittels Einzelpuls-Interferenzlithographie — •Lutz Höppel, Christoph Nebel und Martin Stutzmann
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18:15 |
HL 19.14 |
Reaktive MBE von GaN/(Al,Ga)N Heterostrukturen — •A. Thamm, O. Brandt und K. H. Ploog
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18:30 |
HL 19.15 |
MBE-Wachstum und Lumineszenz von (In,Ga)N/GaN Multiquantenwells im violetten bis gelben Bereich — •P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, M. Reiche und K. H. Ploog
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18:45 |
HL 19.16 |
Untersuchungen zur Wellenführung in Gruppe-III-Nitrid-Heterostrukturen — •M. Röwe, P. Michler, J. Gutowski, S. Bader, B. Hahn und V. Härle
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