HL 23: Grenz- und Oberfl
ächen II
Mittwoch, 29. März 2000, 16:00–19:00, H17
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16:00 |
HL 23.1 |
Hochaufgelöste Tiefenprofilanalyse von Bor–Oberflächenphasen in Silizium — •A. Bergmaier, G. Dollinger, I. Genchev, L. Görgens, P. Neumaier, J. Schulze und I. Eisele
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16:15 |
HL 23.2 |
Diffusion on strained semiconductor surfaces: In/GaAs(001)-c(4×4) — •Evgeni Penev, Peter Kratzer, and Matthias Scheffler
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16:30 |
HL 23.3 |
Elektronische Struktur und Stöchiometrie während der Festphasenepitaxie von β-FeSi_2 auf Si(111); eine IR-Transmissionsstudie — •Gerhard Fahsold, Kilian Singer und Annemarie Pucci
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16:45 |
HL 23.4 |
Concerted-Exchange Diffusion of Dopants — •Jarek Dabrowski and Hans-Joachim Müssig
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17:00 |
HL 23.5 |
Photoemissions-Untersuchungen zum Bandoffset von Organik/ITO Grenzflächen — •L. Chkoda, C. Heske, M. Sokolowski und E. Umbach
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17:15 |
HL 23.6 |
Abhängigkeit des Second Harmonic Signals der Si/SiO2–Grenzfläche von Oxidations–Prozessparametern — •T. Bobek, J. Stein, T. Dekorsy und H. Kurz
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17:30 |
HL 23.7 |
Untersuchung der Durchmischung verborgener CdS/ZnSe Grenzschichten — •C. Heske, U. Groh, R. Fink, E. Umbach, A. Dinger, S. Petillon, M. Grün und C. Klingshirn
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17:45 |
HL 23.8 |
Strain-induced lateral carrier confinement in an InGaAs- quantum well induced by a lateral surface grating — •U. Zeimer, J. Grenzer, U. Pietsch, F. B, V. Smirnitzki, S. Gramlich, M. Weyers, and G. Tränkle
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18:00 |
HL 23.9 |
Vergleich der oberflächeninduzierten, optischen Anisotropie von Si und Ge — •U. Rossow, L. Mantese und D.E. Aspnes
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18:15 |
HL 23.10 |
Struktur innerer Halbleiter-Grenzflächen: Präparation durch hochselektives Ätzen und Untersuchung mittels Rasterkraftmikroskopie — •Siegfried Nau, A. Hasse, G. Bernatz und W. Stolz
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18:30 |
HL 23.11 |
Struktur der GaAs(114)A Oberfläche — •J. Márquez, P. Kratzer, L. Geelhaar, K. Jacobi und M. Scheffler
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18:45 |
HL 23.12 |
Stufenstruktur auf GaAs(113)A — •L. Geelhaar, J. Márquez und K. Jacobi
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