Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Grenz- und Oberfl
ächen II

HL 23.10: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 18:15–18:30, H17

Struktur innerer Halbleiter-Grenzflächen: Präparation durch hochselektives Ätzen und Untersuchung mittels Rasterkraftmikroskopie — •Siegfried Nau, A. Hasse, G. Bernatz und W. Stolz — Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Fachbereich Physik

Die Struktur innerer Grenzflächen ist von fundamentaler Bedeutung, sowohl für das Verständnis von Wachstumsprozessen, als auch für die physikalischen Eigenschaften von Halbleiter-Heterostrukturen und Bauelementen. Mit einer neuen Methode kann man innere Grenzflächen in den Materialsystemen (GaIn)As/InP, (GaIn)P/GaAs, AlAs/(GaIn)As und insbesondere in AlAs/GaAs direkt darstellen, indem man die Grenzflächen mittels hochselektiver Ätzen freilegt und anschliessend mit einem Rasterkraftmikroskop untersucht. Die Methode wird kurz am Materialsystem AlAs/GaAs vorgestellt und Strukturen auf inneren GaAs-, (AlGa)As sowie (GaIn)As-Grenzflächen gezeigt. Zum ersten Mal ist auf exakt orientierten inneren Grenzflächen eine neuartige mesoskopische Inselstruktur beobachtet worden, die nahezu unabhängig von Wachstumsunterbrechungen, dafür aber stark abhängig von der Temperatur und dem Grenzflächenmaterial ist. Sie tritt nicht auf untersuchten 2^∘-fehlorientierten inneren Grenzflächen und niemals auf Oberflächen auf. Eine erste Korrelation von strukturellen Grenzflächeneigenschaften mit optischen Untersuchungen wird vorgestellt und diskutiert.