Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Grenz- und Oberfl
ächen II

HL 23.11: Talk

Wednesday, March 29, 2000, 18:30–18:45, H17

Struktur der GaAs(114)A Oberfläche — •J. Márquez, P. Kratzer, L. Geelhaar, K. Jacobi und M. Scheffler — Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin

Hochindizierte GaAs Oberflächen sind seit einigen Jahren

Gegenstand intensiver Forschung, da unter ihnen einige

gefunden wurden, die stabil sind und geringe

Oberflächenenergie aufweisen. Dies manifestiert sich

im Auftreten dieser Oberflächen als Facettenseiten in

vorstrukturierten Substraten oder als Seitenflächen von

Quantenstrukturen. In dieser Arbeit wurden epitaktisch

gewachsene GaAs(114)A Oberflächen in-situ mit

Elektronenbeugung (RHEED, LEED) und mit

Rastertunnelmikroskopie (STM) untersucht. Abhängig von

der As-Bedeckung auf der Oberfläche wurden drei stabile

Strukturen gefunden, die eine (2×1)/c(2×2)

Periodizität im Beugungsbild aufweisen, sich aber in

ihrer Stöchiometrie unterscheiden. Basierend auf atomar

aufgelösten STM-Bildern und ab-initio

Gesamtenergierechnungen werden für die rekonstruierten

Oberflächen drei Strukturmodelle vorgeschlagen. Unter

As-reichen Präparationsbedingungen ergibt sich eine zur

GaAs(001)(2×4)β2 analoge Rekonstruktion, die

Ga-reicheren Strukturen sind durch dreifach koordinierte