Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Grenz- und Oberfl
ächen II

HL 23.12: Talk

Wednesday, March 29, 2000, 18:45–19:00, H17

Stufenstruktur auf GaAs(113)A — •L. Geelhaar, J. Márquez und K. Jacobi — Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, 14195 Berlin

Die GaAs(113)A-Oberfläche wurde mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) präpariert und in situ mit Rastertunnelmikroskopie (STM) und Elektronenbeugung (LEED) untersucht. Es wurde bestätigt, daß sich eine (8×1)-Rekonstruktion [M. Wassermeier et al., Phys. Rev. B 51, 14721 (1995)] ausbildet. Übersichts-STM-Bilder zeigen eine bemerkenswerte Anisotropie der Stufenstruktur dieser Oberfläche. Während Stufen entlang [332] (der 1× Richtung der Rekonstruktion) für bis zu 2000 Å gerade sind, sind Stufen entlang [110] extrem rauh. In dieser Richtung treten Kinks nach typischerweise weniger als 100 Å auf. Das Verhältnis der entsprechenden lateralen Stufendichten ist 8±4. Diese Anisotropie kann erklärt werden, indem man die Elektronenzählregel (ECR) auf eindimensionale Inseln auf dieser Oberfläche anwendet. Während Inseln entlang [332] die ECR erfüllen, wird die Regel von Inseln entlang [110] verletzt. Falls sich also senkrecht zu Stufenkanten entlang [332] Vorsprünge bilden würden, wären diese energetisch ungünstig. Daher findet Wachstum hauptsächlich durch Anlagerung in Richtung [332] statt.