Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: Grenz- und Oberfl
ächen II
HL 23.1: Talk
Wednesday, March 29, 2000, 16:00–16:15, H17
Hochaufgelöste Tiefenprofilanalyse von Bor–Oberflächenphasen in Silizium — •A. Bergmaier1, G. Dollinger1, I. Genchev1, L. Görgens1, P. Neumaier1, J. Schulze2 und I. Eisele2 — 1Technische Universität München, Physik Department E12 — 2Universität der Bundeswehr/München, Institut für Physik
In dieser Arbeit werden quantitative Tiefenprofilanalysen an Halbleiterstrukturen, bestehend aus Silizium (111) Substrat, Silizium–Pufferschicht, Bor–Oberflächenphase (boron surface phase: BSP) mit σB ≈ 2.6× 1014 cm−1 und anschließender Silizium–Deckschicht vorgestellt. Die Schichtstrukturen wurden mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) hergestellt. Um das Verhalten der Si–Deckschichten, die bei verschiedenen Temperaturen (RT ≤ T ≤ 900∘C) auf den T4–BSP abgeschieden wurden, zu untersuchen, wurden hochauflösende elastic recoil detection (ERD) Analysen am Münchener Tandembeschleuniger durchgeführt.
Nach der Abscheidung einer 15 nm dicken Siliziumschicht bei Raumtemperatur konnte am Interface eine scharfe Borverteilung mit einer Breite von etwa 3 nm und einem integralem Borgehalt von σB = 2.4× 1014 cm−1 gemessen werden. Eine Diffusion von Bor in die Pufferschicht, bzw. eine Segregation in die Deckschicht konnte dabei nicht beobachtet werden. Bei steigender Abscheidetemperatur zeigte sich zunächst eine wachsende Segregation in die Deckschicht, bei einer Temperatur von 900∘C auch eine starke Diffusion in die Pufferschicht.