Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 23: Grenz- und Oberfl
ächen II

HL 23.3: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 16:30–16:45, H17

Elektronische Struktur und Stöchiometrie während der Festphasenepitaxie von β-FeSi_2 auf Si(111); eine IR-Transmissionsstudie — •Gerhard Fahsold, Kilian Singer und Annemarie Pucci — Kirchhoff-Institut für Physik der Universität Heidelberg, Albert-Ueberle-Str. 3-5, D-69120 Heidelberg

Die Präparation von dünnen β-FeSi_2-Schichten kann

mit Hilfe der Festphasenepitaxie von Eisen auf Silicium

durchgeführt werden. Das System durchläuft infolge

thermischer Aktivierung verschiedene Silicidphasen mit

unterschiedlichen vibronischen und elektrischen Eigenschaften,

die mit Hilfe der IR-Spektroskopie gleichzeitig untersucht

werden können.

In unseren UHV-Exprimenten wurden wenige Nanometer Fe auf Si(111)

aufgetragen. Nach Heizzyklen mit wachsender Maximaltemperatur

wurde die Entwicklung von Silicid-Schwingungsbanden und des

breitbandigen elektronischen Untergrunds, d.h. der

Leitfähigkeit des Silicidfilmes, verfolgt. Anhand solcher

IR-Daten können sofort klare Aussagen zur Eignung des Silicides

für photovoltaische Anwendungen getroffen werden.