Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: Grenz- und Oberfl
ächen II
HL 23.5: Vortrag
Mittwoch, 29. März 2000, 17:00–17:15, H17
Photoemissions-Untersuchungen zum Bandoffset von Organik/ITO Grenzflächen — •L. Chkoda, C. Heske, M. Sokolowski und E. Umbach — Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg
Die Bestimmung und die Modifikation von Bandoffsets an Organik/ ITO(InSnO2)-und Organik/Organik-Grenzflächen sind von grossem Interesse für ein grundätzliches Verständnis und für die Optimierung organischer Leuchtdioden. Wir haben deshalb detaillierte Photoemissions-Untersuchungen(UPS, XPS, Austrittsarbeit) zur elektronischen Struktur von Organik/ITO Grenzflächen durchgeführt, wobei als molekulare Substanzen bisher TPD, PTCDA und α-6T Einsatz kamen. Durch die Bestimmung der energetischen Position des Vakuumniveaus und der Valenzbandmaxima als Funktion der Schichtdicke des vakuumsublimierten organischen Films können Rückschlüsse auf die Barrierenhöhen für die Ladungsträgerinjektion getroffen werden. So kann z.B. fr TPD/ITO die Barriere fr Lochinjektion durch das Einfügen einer dünnen (1-2 nm) PTCDA-Zwischenschicht verringert werden. Eine wichtige Rolle spielt dabei der Grenzflächendipol, der vor allem durch die chemische Wechselwirkung zwischen den beiden Komponenten bestimmt wird und durch XPS und UPS im Detail charakterisiert werden kann. Weiterhin kann der Einfluss von Sauerstoff- bzw. Luftdotierung auf die elektronische Struktur untersucht werden, was am Beispiel α-6T/ITO diskutiert wird. Gefördert durch DAAD und Foropto II.