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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Grenz- und Oberfl
ächen II

HL 23.7: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 17:30–17:45, H17

Untersuchung der Durchmischung verborgener CdS/ZnSe Grenzschichten — •C. Heske¹, U. Groh¹, R. Fink¹, E. Umbach¹, A. Dinger², S. Petillon², M. Grün² und C. Klingshirn² — ¹Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg — ²Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, 76128 Karlsruhe

Die Entwicklung von Methoden zur Untersuchung verborgener Grenzschichten ist von besonderer Bedeutung für das Verständnis der elektronischen und chemischen Struktur von Heterostrukturen, wie sie z.B. in Halbleiterbauelementen oder Quantentrogstrukturen Verwendung finden. Von besonderem Interesse ist dabei das chemische Verhalten direkt an der Grenzfläche, z.B. die Frage, ob die Grenzfläche abrupt oder durchmischt ist. Wir berichten über Untersuchungen an MBE-gewachsenen CdS/ZnSe Übergitterstrukturen mittels resonant angeregter Röntgenemission, bei denen ein Kreuzübergang von den flachen Cd 4d bzw. Zn 3d Rumpfniveaus in S 2p Rumpflöcher ausgenutzt wird, um die lokale chemische Bindung der Schwefelatome an Cd- bzw. Zn-Atome zu untersuchen. Die quantitative Auswertung der Kreuzübergänge ergibt ein direktes Maß für die Durchmischung der verborgenen Grenzflächen in Proben mit unterschiedlichen Herstellungstemperaturen. Wie erwartet steigt die Durchmischung mit wachsender Herstellungstemperatur an. Die Ergebnisse sind konsistent mit Raman-Spektren, die eine entsprechende Verschiebung optischer Phononen aufzeigen.